G2014 دیتاشیت

G2014

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G2014
حجم فایل 76.237 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G2014

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G2014
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17.5nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1710pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 14A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ
  • Package: DFN(2x2)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه