PHB191NQ06LT,118 دیتاشیت

PHB191NQ06LT,118

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB191NQ06LT,118
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PHB191NQ06LT,118-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHB191NQ06LT,118
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 95.6nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7665pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 75A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@25A,10V
  • Package: SOT-404
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه