RQ3E100BNTB دیتاشیت

RQ3E100BNTB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ3E100BNTB
حجم فایل 74.884 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RQ3E100BNTB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ3E100BNTB
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 22nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1100pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.4mΩ@10A,10V
  • Package: HSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه