NVMJS1D4N06CLTWG دیتاشیت

NVMJS1D4N06CLTWG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NVMJS1D4N06CLTWG
حجم فایل 90.745 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NVMJS1D4N06CLTWG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NVMJS1D4N06CLTWG
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 4W;180W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 103nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7430pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 39A;262A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@280uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.3mΩ@50A,10V
  • Package: SOT-1205
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه