FCMT080N65S3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
FCMT080N65S3
|
|
حجم فایل
|
73.826
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FCMT080N65S3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
260W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
71nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2765pF@400V
-
Continuous Drain Current (Id):
38A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@880uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
80mΩ@19A,10V
-
Package:
DFN-4(8x8)
-
Manufacturer:
onsemi
