SI7164DP-T1-GE3 دیتاشیت

SI7164DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7164DP-T1-GE3
حجم فایل 88.839 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SI7164DP-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7164DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 6.25W;104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2830pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.25mΩ@10A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه