SIS454DN-T1-GE3 دیتاشیت

SIS454DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIS454DN-T1-GE3
حجم فایل 95.685 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت SIS454DN-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIS454DN-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.8W;52W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 53nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1900pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 35A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@20A,10V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه