دیتاشیت SIRA20DP-T1-RE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SIRA20DP-T1-RE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 106.2 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SIRA20DP-T1-RE3 |
SIRA20DP-T1-RE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SIRA20DP-T1-RE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 6.25W;104W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 200nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 10850pF@10V
- Continuous Drain Current (Id): 81.7A;100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.58mΩ@20A,10V
- Package: SOP-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
