R6035ENZ1C9 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
R6035ENZ1C9
|
|
حجم فایل
|
83.825
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
ROHM Semicon R6035ENZ1C9
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
120W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
110nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2.72nF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
35A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@1mA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
240pF@25V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
92mΩ@10V,18.1A
-
Package:
TO-247-3
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
