PPMT30V4 دیتاشیت

PPMT30V4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PPMT30V4
حجم فایل 79.738 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت PPMT30V4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PPMT30V4
  • Power Dissipation (Pd): 1.2W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,4.2A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec

محصولات مشابه