SQ2319ADS-T1_GE3 دیتاشیت

SQ2319ADS-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQ2319ADS-T1_GE3
حجم فایل 80.486 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SQ2319ADS-T1_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQ2319ADS-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 620pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@3A,10V
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه