دیتاشیت HB100N08

HB100N08

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HB100N08
حجم فایل 70.806 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت HB100N08

HB100N08 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HL(Haolin Elec) HB100N08
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 147W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 115nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 82V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.053nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 145pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,40A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HL(Haolin Elec)

دیتاشیت محصولات مشابه