SI7434DP-T1-E3 دیتاشیت

SI7434DP-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7434DP-T1-E3
حجم فایل 91.683 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI7434DP-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7434DP-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 50nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 250V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 155mΩ@10V,3.8A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه