IPG20N04S4L-08 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPG20N04S4L-08
|
|
حجم فایل
|
62.543
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPG20N04S4L-08
-
Power Dissipation (Pd):
54W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@22uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
10.9mΩ@4.5V,10A
-
Package:
TDSON-8-4
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
