دیتاشیت IPG20N04S4L-08
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPG20N04S4L-08
|
| حجم فایل |
62.543
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPG20N04S4L-08
-
Power Dissipation (Pd):
54W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@22uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
10.9mΩ@4.5V,10A
-
Package:
TDSON-8-4
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
