QH8MA3TCR دیتاشیت

QH8MA3TCR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت QH8MA3TCR
حجم فایل 76.595 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

مشاهده دیتاشیت QH8MA3TCR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon QH8MA3TCR
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 300pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A;5.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@7A,10V
  • Package: -
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه