- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY4306B6
HUAYI HY4306B6 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY4306B6 |
|---|---|
| حجم فایل | 56.703 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت HY4306B6 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 1 N-channel
- Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY4306B6
- Power Dissipation (Pd): 375W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 290A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ@10V,140A
- Package: TO-263-6
