- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD050N03L G
IPD050N03L G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD050N03L G |
|---|---|
| حجم فایل | 74.95 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 12 |
دانلود دیتاشیت IPD050N03L G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD050N03L G
- Power Dissipation (Pd): 68W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@10V,30A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
