TPW4R50ANH,L1Q دیتاشیت

TPW4R50ANH,L1Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPW4R50ANH,L1Q
حجم فایل 42.177 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت TPW4R50ANH,L1Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: TOSHIBA TPW4R50ANH,L1Q
  • Power Dissipation (Pd): 142W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 92A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,46A
  • Package: DSOP-8-EP-5.0mm
  • Manufacturer: TOSHIBA

محصولات مشابه