IPS65R1K4C6 دیتاشیت

IPS65R1K4C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPS65R1K4C6
حجم فایل 69.895 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPS65R1K4C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPS65R1K4C6
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه