IPI600N25N3 G دیتاشیت

IPI600N25N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPI600N25N3 G
حجم فایل 75.383 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت IPI600N25N3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP600N25N3 G
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 250V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,25A
  • Package: TO-220-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه