دیتاشیت IPD110N12N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD110N12N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 33.56 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت IPD110N12N3 G |
IPD110N12N3 G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD110N12N3 G
- Power Dissipation (Pd): 136W
- Drain Source Voltage (Vdss): 120V
- Continuous Drain Current (Id): 75A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@83uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,75A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
