دیتاشیت SI3421DV-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI3421DV-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 88.326 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت SI3421DV-T1-GE3 |
SI3421DV-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI3421DV-T1-GE3
- Power Dissipation (Pd): 4.2W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19.2mΩ@10V,7A
- Package: SOT-23-6
- Manufacturer: Vishay Intertech