18N10 دیتاشیت

18N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 18N10
حجم فایل 74.909 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت 18N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD 18N10
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1318pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه