NSBA123JDXV6T5G دیتاشیت

NSVMUN5135DW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVMUN5135DW1T1G
حجم فایل 92.397 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NSVMUN5135DW1T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi NSBA123JDXV6T5G
  • Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه