AFGY100T65SPD دیتاشیت

AFGY100T65SPD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AFGY100T65SPD
حجم فایل 93.921 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت AFGY100T65SPD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench Field Stop
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi AFGY100T65SPD
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 120A
  • Power Dissipation (Pd): 660W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): -
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 5.1mJ
  • Pulsed Collector Current (Icm): 300A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 2.7mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 105ns
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): -
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه