NVMFWS020N06CT1G دیتاشیت

NVMFWS020N06CT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NVMFWS020N06CT1G
حجم فایل 90.853 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NVMFWS020N06CT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NVMFWS020N06CT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.4W;31W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 355pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A;28A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@20uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4.9pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16.3mΩ@10V,4A
  • Package: SO-8FL
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه