PBSS5160QAZ دیتاشیت

PBSS5160QAZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS5160QAZ
حجم فایل 60.804 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت PBSS5160QAZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS5160QAZ
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 740mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 85@1A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 225mV@1A,100mA
  • Package: SOT-1215
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه