IRF6668TRPBF دیتاشیت

IRF6668TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF6668TRPBF
حجم فایل 118.906 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IRF6668TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF6668TRPBF
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.8W;89W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1320pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.9V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,12A
  • Package: DirectFET
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه