NCEP02T10 دیتاشیت

NCEP02T10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP02T10
حجم فایل 79.235 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP02T10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP02T10
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 63.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.2nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8.8pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه