BSZ0909ND دیتاشیت

BSZ0909ND

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSZ0909ND
حجم فایل 46.038 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BSZ0909ND

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSZ0909ND
  • Power Dissipation (Pd): 17W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,9A
  • Package: ISON-8-EP(3x3)mm
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه