SI7465DP-T1-E3 دیتاشیت

SI7465DP-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7465DP-T1-E3
حجم فایل 94.358 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI7465DP-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7465DP-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 40nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 64mΩ@10V,5A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه