IPD068P03L3G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPD068P03L3G
|
|
حجم فایل
|
69.477
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPD068P03L3G
-
Power Dissipation (Pd):
100W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Continuous Drain Current (Id):
70A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@150uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6.8mΩ@10V,70A
-
Package:
TO-252-2(DPAK)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
