HY1920P دیتاشیت

HY1920P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1920P
حجم فایل 58.144 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت HY1920P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1920P
  • Power Dissipation (Pd): 375W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,45A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه