دیتاشیت TK14G65W,RQ
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
TK14G65W,RQ
|
| حجم فایل |
75.287
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TK14G65W,RQ
-
Power Dissipation (Pd):
130W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
35nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1300pF@300V
-
Continuous Drain Current (Id):
13.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@690uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
250mΩ@10V,6.9A
-
Package:
D2PAK
-
Manufacturer:
TOSHIBA
