AP80N04Q دیتاشیت

AP80N04Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP80N04Q
حجم فایل 70.87 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت AP80N04Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP80N04Q
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 21W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 37nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2400pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 167pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ@10V,30A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه