SI1026X-T1-GE3 دیتاشیت

SI1026X-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1026X-T1-GE3
حجم فایل 70.375 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SI1026X-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1026X-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 30pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 305mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,500mA
  • Package: SC-89
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه