BSZ12DN20NS3 G دیتاشیت

BSZ12DN20NS3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSZ12DN20NS3 G
حجم فایل 66.383 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSZ12DN20NS3 G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSZ12DN20NS3 G
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Continuous Drain Current (Id): 11.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@25uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@10V,5.7A
  • Package: TSDSON-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه