YJD20N06A دیتاشیت

YJD20N06A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YJD20N06A
حجم فایل 66.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت YJD20N06A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD20N06A
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 34W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 800pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 36pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 34mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه