HYG180N10LS1P دیتاشیت

HYG180N10LS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG180N10LS1P
حجم فایل 63.305 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG180N10LS1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG180N10LS1P
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 93.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.606nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 22.8pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16.5mΩ@10V,25A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه