دیتاشیت NZT45H8
								
							
							
								
								
									
										مشخصات دیتاشیت
										
											
												
													| نام دیتاشیت | 
													
														NZT45H8
													 | 
												
												
													| حجم فایل | 
													
														
															70.016
																کیلوبایت
														 | 
														
												
												
													| نوع فایل | 
													
														
															pdf
														 | 
														
												
												
													| تعداد صفحات | 
													
														
															9
														 | 
														
												
											
										
										
									 
								 
							 
							
				 
			 
		 
		
			
				
					
						
مشخصات
					
					
						
							
									
										
											- 
												
													RoHS:
												
												
													true
												
											
 
											
											- 
												
													Category:
												
												
													Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
												
											
 
											
											- 
												
													Datasheet:
												
												
													onsemi NZT45H8
												
											
 
											
											- 
												
													Transistor Type:
												
												
													PNP
												
											
 
											
											- 
												
													Operating Temperature:
												
												
													-55°C~+150°C@(Tj)
												
											
 
											
											- 
												
													Collector Current (Ic):
												
												
													8A
												
											
 
											
											- 
												
													Power Dissipation (Pd):
												
												
													1.5W
												
											
 
											
											- 
												
													Transition Frequency (fT):
												
												
													40MHz
												
											
 
											
											- 
												
													DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
												
												
													40@4A,1V
												
											
 
											
											- 
												
													Collector Cut-Off Current (Icbo):
												
												
													10uA
												
											
 
											
											- 
												
													Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
												
												
													60V
												
											
 
											
											- 
												
													Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
												
												
													1V@8A,400mA
												
											
 
											
											- 
												
													Package:
												
												
													SOT-223
												
											
 
											
											- 
												
													Manufacturer:
												
												
													onsemi