دیتاشیت SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1926DL-T1-GE3
حجم فایل 87.415 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1926DL-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 510mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.4nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 18.5pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 370mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@340mA,10V
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه