AP20P30Q دیتاشیت

AP20P30Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP20P30Q
حجم فایل 53.198 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت AP20P30Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP20P30Q
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 40W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 23.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.75nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 180pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,10A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه