HYG065N07NS1B دیتاشیت

HYG065N07NS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG065N07NS1P
حجم فایل 65.611 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG065N07NS1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG065N07NS1B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 52nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 70V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.99nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 26pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V,40A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه