PBSS306PZ,135 دیتاشیت

PBSS306PZ,135

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS306PZ,135
حجم فایل 55.586 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PBSS306PZ,135-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS306PZ,135
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4.1A
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@2A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 210mV@4.1A,410mA
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه