دیتاشیت SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2312BDS-T1-GE3
حجم فایل 74.606 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2312BDS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 850mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ@4.5V,5A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه