RZM001P02T2L دیتاشیت

RZM001P02T2L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RZM001P02T2L
حجم فایل 67.712 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RZM001P02T2L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RZM001P02T2L
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 15pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 100mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8Ω@4.5V,100mA
  • Package: VMT-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه