ZXMN10B08E6TA دیتاشیت

ZXMN10B08E6TA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXMN10B08E6TA
حجم فایل 93.673 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ZXMN10B08E6TA

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 497pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 230mΩ@10V,1.6A
  • Package: SOT-26
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه