دیتاشیت NCE40H29D
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | NCE40H29D |
---|---|
حجم فایل | 77.961 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت NCE40H29D |
NCE40H29D Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE40H29D
- Power Dissipation (Pd): 310W
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Continuous Drain Current (Id): 290A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.4mΩ@10V,20A
- Package: TO-263
- Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor