BCM857QASZ دیتاشیت

BCM857QASZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BCM857QASZ
حجم فایل 59.717 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BCM857QASZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BCM857QASZ
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Transition Frequency (fT): 175MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 290@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@100mA,5mA
  • Package: DFN-6(1x1)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه