SI4378DY-T1-GE3 دیتاشیت

SI4378DY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4378DY-T1-GE3
حجم فایل 71.812 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI4378DY-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4378DY-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 19A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@4.5V,25A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه